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54 分钟
on MSN
等离子体刻蚀新突破:硅垂直通道蚀刻速度翻倍!
科学界传来新突破,一项由Lam ...
1 小时
利用等离子体刻蚀技术 硅垂直通道蚀刻效率提高100%
研究还发现,结合三氟化磷等特定化学材料可以进一步改进蚀刻工艺。然而,需要注意到的是,在某些情况下,一些副产品可能会影响蚀刻效率。但只需加入适量的水就可以解决这个问题。例如,在低温下加入水可以让盐分解,并加速整个过程。
2 小时
1分钟640纳米!等离子体让3D NAND闪存蚀刻效率翻倍
快科技2月5日消息,3D NAND闪存的设计和制造非常依赖存储单元堆叠,由此可以大幅增加存储密度与容量,降低成本。 最近,来自Lam ...
6 天
Lynx Equity维持Lam Research股票100美元目标价,与华尔街悲观情绪形成对比
周三,Lynx Equity对Lam Research Corporation (NASDAQ: LRCX )表示了强烈的信心,维持其100美元的目标价(PT),并重申该股票是今年的首选之一。该公司分析师强调,他们的评估与过去一个季度出现的更为悲观的市场共识预期存在显著差异。根据 InvestingPro ...
6 天
Lam Research股价因第二季度业绩超预期大涨6%
加利福尼亚州弗里蒙特 - Lam Research Corporation (NASDAQ: LRCX) 公布的2024财年第二季度业绩超出预期,周三盘后交易中股价上涨6.5%。 这家半导体设备制造商报告的调整后每股收益为0.91美元,超过分析师预估的0.88美元。营收达到43.8亿美元,高于预期的43.1亿美元,同比增长16.4%。
10 天
泛林集团干式光刻胶技术成功获imec认证,力助2nm制程的未来!
在科技发展的浪潮中,加州的泛林集团(Lam Research)于本月14日揭开了一个激动人心的新篇章——它的干式光刻胶技术成功通过了国际知名机构imec的认证。这项技术的革新之处在于,它能够在逻辑半导体的后道工艺中,实现28nm间距的直接图案化,完美满足了2nm及以下先进制程的需求。
10 天
泛林公布干式光刻胶进展:可在逻辑半导体后道工艺实现 28nm 间距 ...
泛林干式光刻胶在后道工艺中的图案化能力目前已在 0.33 (Low) NA EUV 光刻机上得到了验证,未来还可扩展至逐步投入使用的 0.55 (High) NA EUV 光刻平台上。
腾讯网
10 天
泛林公布干式光刻胶进展:可在后道工艺实现 28nm 间距直接图案化
IT之家 1 月 26 日消息,泛林集团 Lam Research 美国加州当地时间本月 14 日宣布,其干式光刻胶技术成功通过 imec 认证,可直接在逻辑半导体后道工艺(IT之家注:BEOL,互联层制作)中实现 28nm 间距的直接图案化,能满足 ...
9 天
on MSN
泛林集团干式光刻胶新突破:28nm间距直接图案化,助力2nm及以下制程
近日,泛林集团(Lam ...
来自MSN
21 天
Lam Research通过干法光刻胶技术实现28nm间距的高分辨率图案化
Lam Research Corporation 今天宣布,其创新的干光刻胶技术已获得纳米电子和数字技术领域领先的研究和创新中心 imec 的认证,可直接印刷 2 纳米及以下的 ...
10 天
泛林干式光刻胶技术突破:28nm间距图案化新可能
在半导体行业的创新舞台上,泛林集团(Lam Research)于加州本月14日宣布了一项激动人心的新进展——干式光刻胶技术获得了imec的认证,可以在逻辑半导体后道工艺(BEOL)中实现28nm间距的直接图案化。这一成果的意义远不止于数字,更是对未来制程的挑战和机遇。
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