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4 小时
利用等离子体刻蚀技术 硅垂直通道蚀刻效率提高100%
研究还发现,结合三氟化磷等特定化学材料可以进一步改进蚀刻工艺。然而,需要注意到的是,在某些情况下,一些副产品可能会影响蚀刻效率。但只需加入适量的水就可以解决这个问题。例如,在低温下加入水可以让盐分解,并加速整个过程。
6 天
Lam Research股价因第二季度业绩超预期大涨6%
加利福尼亚州弗里蒙特 - Lam Research Corporation (NASDAQ: LRCX) 公布的2024财年第二季度业绩超出预期,周三盘后交易中股价上涨6.5%。 这家半导体设备制造商报告的调整后每股收益为0.91美元,超过分析师预估的0.88美元。营收达到43.8亿美元,高于预期的43.1亿美元,同比增长16.4%。
6 天
Lam Research的Aether技术被选用于先进DRAM生产
Lam Research是一家财富500强公司,是半导体行业晶圆制造设备和服务的全球供应商,其技术几乎存在于每一个先进芯片的生产中。该公司强劲的市场地位反映在其稳健的财务指标上,您可以通过 InvestingPro 上提供的全面专业研究报告详细了解这些指标,同时获得专家分析和可操作的智能信息,以做出更明智的投资决策。
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4 小时
1分钟640纳米!等离子体让3D NAND闪存蚀刻效率翻倍
最近,来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校、美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室 (PPPL)的众多科学家联合设计了一种新的蚀刻工艺。 其中的关键是在氧化硅和 氮化硅 ...
3 小时
on MSN
等离子体刻蚀新突破:硅垂直通道蚀刻速度翻倍!
科学界传来新突破,一项由Lam ...
4 小时
新蚀刻技术助力3D NAND闪存效率大幅提升!
在当今科技领域,3D NAND闪存技术无疑成为了众人瞩目的焦点。凭借其独特的存储单元堆叠设计,这种技术不仅在存储密度和容量方面表现优秀,还大幅降低了生产成本。最近,由Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校及美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室的科学家联手打造的一项新型蚀刻工艺,为3D NAND闪存的技术革新注入了新的动力。
来自MSN
21 天
Lam Research通过干法光刻胶技术实现28nm间距的高分辨率图案化
Lam Research Corporation 今天宣布,其创新的干光刻胶技术已获得纳米电子和数字技术领域领先的研究和创新中心 imec 的认证,可直接印刷 2 纳米及以下的 ...
13 小时
on MSN
科学家发现更高效蚀刻 3D NAND 内存的方法
为了改进数据存储,研究人员正在完善三维 NAND 闪存,这种闪存将单元堆叠起来,以最大限度地利用空间。研究人员发现了一种更快、更高效的方法,可利用先进的等离子体工艺在 3D NAND 闪存中蚀刻深孔。
腾讯网
10 天
泛林公布干式光刻胶进展:可在后道工艺实现 28nm 间距直接图案化
IT之家 1 月 26 日消息,泛林集团 Lam Research 美国加州当地时间本月 14 日宣布,其干式光刻胶技术成功通过 imec 认证,可直接在逻辑半导体后道工艺(IT之家注:BEOL,互联层制作)中实现 28nm 间距的直接图案化,能满足 ...
8 天
华尔街用“杰文斯悖论”对冲DeepSeek巨大影响
我国的人工智能初创公司DeepSeek昨天引发了美国的一场科技股抛售潮,因为投资者担心会出现更便宜的开源大型语言模型,从而引发了对美国硅谷人工智能主导地位的担忧。 这在整个科技行业激起了涟漪。博通、Lam ...
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