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10 小时
利用等离子体刻蚀技术 硅垂直通道蚀刻效率提高100%
研究还发现,结合三氟化磷等特定化学材料可以进一步改进蚀刻工艺。然而,需要注意到的是,在某些情况下,一些副产品可能会影响蚀刻效率。但只需加入适量的水就可以解决这个问题。例如,在低温下加入水可以让盐分解,并加速整个过程。
腾讯网
11 小时
1分钟640纳米!等离子体让3D NAND闪存蚀刻效率翻倍
最近,来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校、美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室 (PPPL)的众多科学家联合设计了一种新的蚀刻工艺。 其中的关键是在氧化硅和 氮化硅 ...
9 小时
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等离子体刻蚀新突破:硅垂直通道蚀刻速度翻倍!
科学界传来新突破,一项由Lam ...
10 小时
新蚀刻技术助力3D NAND闪存效率大幅提升!
在当今科技领域,3D NAND闪存技术无疑成为了众人瞩目的焦点。凭借其独特的存储单元堆叠设计,这种技术不仅在存储密度和容量方面表现优秀,还大幅降低了生产成本。最近,由Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校及美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室的科学家联手打造的一项新型蚀刻工艺,为3D NAND闪存的技术革新注入了新的动力。
10 小时
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新蚀刻工艺:等离子体助力3D NAND闪存效率倍增!
在科技领域的最新进展中,3D NAND闪存技术因其存储单元堆叠的独特设计而备受瞩目,这一设计策略不仅显著提升了存储密度与容量,还有效降低了生产成本。近日,一项创新蚀刻工艺的问世,为3D NAND闪存技术的进一步突破带来了希望。 这项新工艺由Lam ...
19 小时
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科学家发现更高效蚀刻 3D NAND 内存的方法
为了改进数据存储,研究人员正在完善三维 NAND 闪存,这种闪存将单元堆叠起来,以最大限度地利用空间。研究人员发现了一种更快、更高效的方法,可利用先进的等离子体工艺在 3D NAND 闪存中蚀刻深孔。
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